[发明专利]利用磁畴壁移动的半导体器件有效
| 申请号： | 200610168680.3 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101114693A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 林志庆;金庸洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/14;G11C19/02;H01F10/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 磁畴壁 移动 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括具有多个磁畴的磁线，其中该磁线包括通过脉冲场和脉冲电流之一被移动的磁畴壁且是无切口磁线。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中该脉冲场具有15至200Oe的强度。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中该脉冲场具有与周期性振荡并移动该磁畴壁的连续场的强度同样强的强度。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其中该脉冲场具有与该磁畴壁振荡周期的40至80％对应的“ON”时间。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中该脉冲电流具有1.5×107至2.0×1010A/cm的强度。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中该脉冲电流具有与周期性振荡且移动该磁畴壁的连续电流的强度同样强的磁强度。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其中该脉冲电流具有与该磁畴壁振荡周期的40至80％对应的“ON”时间。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中该磁线具有5至100nm的宽度。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其中该磁线具有5至50nm的厚度。
10.如权利要求1所述的半导体器件，其中该磁线具有0.001至0.1的阻尼常数。
11.如权利要求1所述的半导体器件，其中该磁线由选自包括Ni-Fe、Co、Co-Ni、Co-Fe和Co-Fe-Ni的组的一种形成。
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