[发明专利]提高抗静电特性的发光二极管器件无效
| 申请号： | 200610167499.0 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1996628A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 金英镐;金学峰;崔珉镐 | 申请（专利权）人： | 廊坊清华科技园光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 065001河北省廊坊*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大幅提高抗静电特性的发光二极管器件，由于GaN基发光器件对静电敏感，所以使用时存在诸多问题。本发明在不影响GaN基发光器件的发光特点的同时，保护器件免受静电放电的伤害。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 抗静电 特性 发光二极管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种由衬底、N层、活性层、P层、发光层组成的GaN基发光器件，其特征在于：部分N层和部分P层利用导体实现电连接的发光器件。
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