[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法和安装方法有效
| 申请号： | 200610163974.7 | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101086979A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 野本隆司;松木浩久 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/522;H01L21/00;H01L21/768;H01L21/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体衬底，其中形成有多个功能元件；以及多层互连层，其设置于该半导体衬底的上方，该多层互连层包括相互连接多个功能元件的布线层，并且包括层间绝缘层，其中，形成布线层的区域由槽形成部包围，该槽形成部穿透该多层互连层；并且该槽形成部填充有有机绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 安装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，其中形成有多个功能元件；以及多层互连层，其设置于该半导体衬底的上方，该多层互连层包括相互连接所述多个功能元件的布线层，并且包括层间绝缘层；其中，形成该布线层的区域由槽形成部包围，该槽形成部穿透该多层互连层；并且该槽形成部填充有有机绝缘材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610163974.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浏览管理装置、浏览管理方法及其程序产品
- 下一篇：锚杆钻机倍增推进装置
