[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法和安装方法有效

专利信息
申请号: 200610163974.7 申请日: 2006-12-01
公开(公告)号: CN101086979A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 野本隆司;松木浩久 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/522;H01L21/00;H01L21/768;H01L21/50
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 以及 制造 方法 安装
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

半导体衬底,其中形成有多个功能元件;以及

多层互连层,其设置于该半导体衬底的上方,该多层互连层包括相互连接所述多个功能元件的布线层,并且包括层间绝缘层;

其中,形成该布线层的区域由槽形成部包围,该槽形成部穿透该多层互连层;并且

该槽形成部填充有有机绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中该槽形成部的宽度大于等于2μm并小于等于50μm。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中穿透该多层互连层的该槽形成部的长度大于等于0.1μm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中在该多层互连层中形成有多个槽形成部,以便包围所述形成该布线层的区域;并且

各所述槽形成部均填充有有机绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中该有机绝缘材料选自包括聚酰亚胺、苯并环丁烯、酚醛树脂和聚苯并恶唑的群组。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:

第一绝缘层,其使得形成于该多层互连层上的多个电极焊盘敞开,该第一绝缘层设置于该多层互连层的上方;

第二布线层,其连接至所述电极焊盘并设置于该第一绝缘层的上方;

金属电极,其设置于该第二布线层上;以及

树脂,其形成于该第一绝缘层和该第二布线层的上方并使该金属电极的一端露出。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,

其中在该金属电极的从该树脂中露出的一端上形成外部连接突起电极。

8.根据权利要求6所述的半导体器件,其中该树脂选自包括聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚苯并恶唑、酚醛树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂和环氧树脂的群组。

9.一种半导体器件的安装方法,该半导体器件包括:

半导体衬底,其中形成有多个功能元件;以及

多层互连层,其设置于该半导体衬底的上方,该多层互连层包括相互连接所述多个功能元件的布线层,并且包括层间绝缘层;

第二布线层,连接在该多层互连层上形成的电极焊盘;

其中,形成该布线层的区域由槽形成部包围,该槽形成部穿透该多层互连层,该槽形成部填充有有机绝缘材料;

在该多层互连层的上方设置树脂,并且在该树脂的表面上形成外部连接突起电极,且所述外部连接突起电极接触该第二布线层;

该半导体器件的安装方法包括:

当将该半导体器件安装于电路板上时,将底部填充树脂涂敷至在该半导体衬底的侧面露出的多层互连层上,使该底部填充树脂填充于该电路板与该半导体器件之间。

10.一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:

在半导体衬底的主表面上形成多个功能元件;

在该半导体衬底的该主表面上形成多层互连层,该多层互连层包括相互连接所述多个功能元件的布线层,并且包括层间绝缘层;

形成槽形成部,该槽形成部包围形成该布线层的区域并穿透该多层互连层;以及

使用有机绝缘材料填充该槽形成部。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法,

其中该槽形成部通过激光辐射形成以穿透该多层互连层。

12.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法,

其中形成多个槽形成部,并且使用有机绝缘材料填充各所述槽形成部。

13.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法,

其中使用有机绝缘材料填充该槽形成部,并在小于等于400℃的温度下采用热处理以固化该有机绝缘材料,从而在该槽形成部中设置有机绝缘膜。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法,

其中该有机绝缘材料选自包括苯并环丁烯、酚醛树脂和聚苯并恶唑的群组;以及

在小于等于350℃的温度下进行热处理。

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