[发明专利]闪存器件及其读取方法无效

专利信息
申请号: 200610156445.4 申请日: 2006-12-31
公开(公告)号: CN101154449A 公开(公告)日: 2008-04-02
发明(设计)人: 朴镇寿;裴基铉;杨中燮 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨生平;杨红梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及闪存器件及其读取方法,其中在闪存器件的页面缓冲器中,传送单元被设置在位线和感测节点之间,并且感测节点接线的长度被配置为在所有页面缓冲器上都是相同的。另外,多个感测节点的接线被设置在分开的电平(低和高)上以不彼此相邻,使得页面缓冲器的感测节点的加载时间是一致的并且感测节点接线之间的耦合电容被消除,从而导致数据的精确的读取操作。
搜索关键词: 闪存 器件 及其 读取 方法
【主权项】:
1.一种闪存器件,包括:存储器单元阵列,其包括多个存储器单元和多个位线对,其中每个存储器单元都连接到一位线;以及多个页面缓冲器,用于从选自所述多个存储器单元中的存储器单元读取数据,其中所述多个页面缓冲器的每个都连接到所述多个位线对之一,其中所述多个页面缓冲器的每个都包括:位线选择单元,其从连接到所述页面缓冲器的所述位线对中选择一个位线并且将所选择的位线连接到共享节点;传送单元,其将所述共享节点连接到感测节点;以及感测单元,其存储通过所述感测节点而传送的数据,其中所述位线选择单元设置在存储器件的高电压区上,并且所述传送单元和感测单元设置在所述器件的低电压区上。
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