[发明专利]基于三维存储器进行自测试的集成电路无效
| 申请号： | 200610153562.5 | 申请日： | 2002-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1967723A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C17/10;G11C16/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于3D－M进行自测试的集成电路。三维存储器(3D－M)堆叠在被测试集成电路(CUT)上方，并存储CUT的测试数据或籽数据。与3D－M集成后，CUT可实现自测试。同时，由于3D－M与CUT之间有很大带宽，该自测试支持同速测试。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 三维 存储器 进行 测试 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种基于三维存储器(3D-M)进行自测试的集成电路，其特征在于含有：一衬底电路(0s)，该衬底电路含有一被测试电路(CUT)(0CUT)；至少一3D-M层(0)，该3D-M层叠置于至少部分所述CUT上方，并通过多个接触通道口(20av、30av...)与该CUT耦合，该3D-M层存储至少部分所述CUT的测试数据(002)或籽数据(002c)。
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