[发明专利]一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法无效
| 申请号： | 200610152201.9 | 申请日： | 2006-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101148776A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞亭;周志强;任正伟;徐应强;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在砷化镓(GaAs)衬底上外延生长锑化镓(GaSb)的方法，该方法采用双缓冲层生长工艺，具体包括：A.在580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B.在550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长锑化铝(AlSb)缓冲层；C.在400至500℃条件下在生长的AlSb缓冲层上生长GaSb外延层。利用本发明，将单缓冲层工艺改变为双缓冲层工艺，先在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，然后在生长的GaAs缓冲层上生长AlSb缓冲层，最后在生长的AlSb缓冲层上生长GaSb外延层，使其促进外延层二维生长的特性，从而有效提高了GaSb外延层的晶体质量和表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 衬底 外延 生长 锑化镓 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在砷化镓GaAs衬底上外延生长锑化镓GaSb的方法，其特征在于，该方法采用双缓冲层生长工艺，该方法具体包括：A、在580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B、在550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长锑化铝AlSb缓冲层；C、在400至500℃条件下在生长的AlSb缓冲层上生长GaSb外延层。
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