[发明专利]一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法无效
| 申请号： | 200610152201.9 | 申请日： | 2006-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101148776A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞亭;周志强;任正伟;徐应强;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 衬底 外延 生长 锑化镓 方法 | ||
1.一种在砷化镓GaAs衬底上外延生长锑化镓GaSb的方法，其特征在于，该方法采用双缓冲层生长工艺，该方法具体包括：
A、在580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；
B、在550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长锑化铝AlSb缓冲层；
C、在400至500℃条件下在生长的AlSb缓冲层上生长GaSb外延层。
2.根据权利要求1所述的在GaAs衬底上外延生长GaSb的方法，其特征在于，所述步骤A之前进一步包括：
将清洗好的GaAs衬底放在分子束外延MBE生长室样品架上，在580℃条件下高温脱氧，并将GaAs衬底温度升至630℃高温除气，然后将衬底温度降至580℃。
3.根据权利要求2所述的在GaAs衬底上外延生长GaSb的方法，其特征在于，
所述MBE生长室在GaAs和AlSb缓冲层生长前处于高真空状态，压力为5×10-9mbar；
所述MBE生长室在GaAs和AlSb缓冲层生长过程中，生长室压力处在5×10-8mbar范围；
所述MBE生长室在GaSb外延层生长时，生长室压力处在8×10-8mbar范围。
4.根据权利要求2所述的在GaAs衬底上外延生长GaSb的方法，其特征在于，所述步骤A包括：
将高温脱氧后的GaAs衬底稳定温度在580℃，开启Ga源炉快门，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层。
5.根据权利要求4所述的在GaAs衬底上外延生长GaSb的方法，其特征在于，所述Ga源在GaAs缓冲层生长时的温度为1150℃。
6.根据权利要求4所述的在GaAs衬底上外延生长GaSb的方法，其特征在于，所述GaAs缓冲层在生长时的As/Ga束流比为20，生长时间为30分钟，生长厚度为0.5μm。
7.根据权利要求1或4所述的在GaAs衬底上外延生长GaSb的方法，其特征在于，所述步骤B包括：
关闭Ga源炉快门，将GaAs衬底温度降为550℃，关闭As源炉快门，并开启Sb源炉快门和Al源炉快门，在GaAs缓冲层上生长AlSb缓冲层。
8.根据权利要求7所述的在GaAs衬底上外延生长GaSb的方法，其特征在于，所述Al源在AlSb缓冲层生长时的温度为1180℃。
9.根据权利要求7所述的在GaAs衬底上外延生长GaSb的方法，其特征在于，所述AlSb缓冲层在生长时的Al/Sb束流比为6，生长时间为12分钟，生长厚度为100nm。
10.根据权利要求7所述的在GaAs衬底上外延生长GaSb的方法，其特征在于，所述步骤C包括：
关闭Al源炉快门，将GaAs衬底温度降到400至500℃，开启Ga源炉快门，在AlSb缓冲层上生长GaSb外延层。
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