[发明专利]离子束测量方法和离子注入装置

摘要

当由前级叶片驱动装置沿y方向驱动前级束约束叶片时，测量经过前级束约束叶片侧面的外部并且入射到前级多点法拉第上的离子束的束电流的变化，以便得到在前级束约束叶片的位置处离子束沿y方向的束电流密度分布。当由后级叶片驱动装置沿y方向驱动后级束约束叶片时，测量经过后级束约束叶片侧面的外部并且入射到后级多点法拉第上的离子束的束电流的变化，以便得到在后级束约束叶片的位置处离子束沿y方向的束电流密度分布。通过使用这些结果，可以得到离子束在y方向中的角度偏差、发散角和/或束尺寸。

主权项

1.一种在离子注入装置中进行的离子束测量方法，用于不通过沿x方向的扫描，用具有x方向的尺寸大于基本上垂直于x方向的y方向的尺寸的带形的离子束照射靶，所述离子注入装置在所述靶的上游和下游侧分别具有前级多点法拉第和后级多点法拉第，由在x方向中并置的多个测量离子束的束电流的检测器构成所述前级多点法拉第和所述后级多点法拉第中的每一个，所述离子注入装置还具有布置在所述前级多点法拉第的上游附近以阻挡离子束并且具有基本上平行于x方向的侧面的前级束约束叶片，沿y方向驱动所述前级束约束叶片的前级叶片驱动装置，布置在所述后级多点法拉第的上游附近以阻挡离子束并且具有基本上平行于x方向的侧面的后级束约束叶片，以及沿y方向驱动所述后级束约束叶片的后级叶片驱动装置，所述离子束测量方法包括：当由所述前级叶片驱动装置沿y方向驱动所述前级束约束叶片时，测量经过所述前级束约束叶片侧面的外部并且入射到所述前级多点法拉第上的离子束的束电流的变化的前级束电流密度分布测量步骤，以得到在所述前级束约束叶片的位置处离子束沿y方向的束电流密度分布；由在所述前级束电流密度分布测量步骤中得到的束电流密度分布，进行前级中心位置计算步骤，得到在所述前级束约束叶片位置处离子束在y方向中的中心位置ycf；当由所述后级叶片驱动装置沿y方向驱动所述后级束约束叶片时，进行测量经过所述后级束约束叶片侧面的外部并且入射到所述后级多点法拉第上的离子束的束电流的变化的后级束电流密度分布测量步骤，以得到在所述后级束约束叶片的位置处离子束沿y方向的束电流密度分布；由在所述后级束电流密度分布测量步骤中得到的束电流密度分布，进行后级中心位置计算步骤，得到在所述后级束约束叶片位置处离子束在y方向中的中心位置ycb；以及以下面的公式或数学上相当于所述公式的公式为基础，使用在所述前级中心位置计算步骤中得到的中心位置ycf，在所述后级中心位置计算步骤中得到的中心位置ycb，以及在所述前级束约束叶片与所述后级束约束叶片之间的距离L，进行角度偏差计算步骤，得到离子束在y方向中的角度偏差θy：θy＝tan-1{(ycb-ycf)/L}。