[发明专利]离子束测量方法和离子注入装置

权利要求书

1.一种在离子注入装置中进行的离子束测量方法，用于通过沿x方向的扫描或不通过沿x方向的扫描，用具有x方向中的尺寸大于基本上垂直于x方向的y方向中的尺寸的带形形状的离子束照射靶，所述离子注入装置在所述靶的上游和下游侧分别具有前级多点法拉第和后级多点法拉第，由沿x方向并置的多个测量离子束的束电流的检测器构成每个所述前级多点法拉第和所述后级多点法拉第，以及分别将所述前级多点法拉第的多个入口的上端和下端连接到一起的直线的至少一条基本上平行于x方向，所述离子注入装置还具有布置在所述前级多点法拉第的上游附近并且其具有允许离子束穿过的孔的掩板，沿y方向驱动所述前级多点法拉第的前级法拉第驱动装置，布置在所述后级多点法拉第的上游附近以阻挡离子束并且具有与x方向基本上平行的侧面的后级束约束叶片，以及沿y方向驱动所述后级束约束叶片的后级叶片驱动装置，所述离子束测量方法包括：

当由所述前级法拉第驱动装置沿y方向驱动所述前级多点法拉第时，进行测量经过所述掩板的所述孔并且入射到所述前级多点法拉第上的离子束的束电流的变化的前级束电流密度分布测量步骤，以得到在所述前级多点法拉第的入口位置处离子束沿y方向的束电流密度分布；

由在所述前级束电流密度分布测量步骤中得到的束电流密度分布，进行前级中心位置计算步骤，得到在所述前级多点法拉第的所述入口位置处离子束在y方向中的中心位置y_cf；

当由所述后级叶片驱动装置沿y方向驱动所述后级束约束叶片时，进行测量经过所述后级束约束叶片侧面的外部并且入射到所述后级多点法拉第上的离子束的束电流的变化的后级束电流密度分布测量步骤，以得到在所述后级束约束叶片的位置处离子束沿y方向的束电流密度分布；

由在所述后级束电流密度分布测量步骤中得到的束电流密度分布，进行后级中心位置计算步骤，得到在所述后级束约束叶片位置处离子束在y方向中的中心位置y_cb；以及

以下面的公式为基础，使用在所述前级中心位置计算步骤中得到的中心位置y_cf、在所述后级中心位置计算步骤中得到的中心位置y_cb、以及在所述前级多点法拉第的所述入口与所述后级束约束叶片之间的距离L，进行角度偏差计算步骤，得到离子束在y方向中的角度偏差θ_y：

θ_y＝tan^-1{(y_cb-y_cf)/L}。