[发明专利]半导体器件及其构建方法有效
| 申请号： | 200610148648.9 | 申请日： | 2004-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1983579A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 伊势田泰永;金泽秀树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/522;H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其构建方法。在具有位于将要连接至再布线层布线的凸点下方的最上层布线的半导体器件中，形成最上层布线，使得覆盖最上层布线的保护膜的表面在凸点下方没有凹凸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 构建 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：最上层布线，形成在半导体衬底上；再布线层，其形成来通过一保护膜连接所述最上层布线；以及连接所述再布线层的凸点，其中所述凸点避开连接与连接所述凸点的该再布线层的节点不同的节点的最上层布线的边缘上方形成。
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