[发明专利]非挥发性存储器的写入方法有效
| 申请号： | 200610148238.4 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211986A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 钟灿;繆威权;陈良成;刘鉴常 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储器的写入方法，提供非挥发性半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，包括：在非挥发性存储器的源极施加第一电压，为负值或者0；在非挥发性存储器的漏极施加第二电压；将非挥发性存储器的半导体衬底接地；在非挥发性存储器的栅极施加第三电压。本发明提供的非挥发性存储器的写入方法，提高了存储器的写入速度。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性存储器的写入方法，提供非挥发性半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，其特征在于，包括：在非挥发性存储器的源极施加第一电压，为负值或者0；在非挥发性存储器的漏极施加第二电压；将非挥发性存储器的半导体衬底接地；在非挥发性存储器的栅极施加第三电压。
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