[发明专利]非挥发性存储器的写入方法有效
| 申请号： | 200610148238.4 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211986A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 钟灿;繆威权;陈良成;刘鉴常 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 写入 方法 | ||
1.一种非挥发性存储器的写入方法，提供非挥发性半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，其特征在于，包括：
在非挥发性存储器的源极施加第一电压，为负值或者0；
在非挥发性存储器的漏极施加第二电压；
将非挥发性存储器的半导体衬底接地；
在非挥发性存储器的栅极施加第三电压。
2.根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述第一电压大于-0.4V。
3.根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述第二电压为2.5V至15V。
4.根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述第三电压为9V至10V。
5.一种非挥发性存储器阵列的写入方法，提供非挥发性半导体存储器阵列，每一个非挥发性半导体存储器包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，其特征在于，包括：
选取非挥发性半导体存储器阵列中的非挥发性半导体存储器单元进行写入；
通过一选定的位线在非挥发性存储器单元的源极施加第一电压，为负值或者0；
通过另一选定的位线在非挥发性存储器单元的漏极施加第二电压；
对非挥发性存储器单元的半导体衬底接地；
通过一选定的字线在非挥发性存储器单元的栅极施加第三电压。
6.根据权利要求5所述非挥发性存储器阵列的写入方法，其特征在于，所述第一电压大于-0.4V。
7.根据权利要求5所述非挥发性存储器阵列的写入方法，其特征在于，所述第二电压为2.5V至15V。
8.根据权利要求5所述非挥发性存储器阵列的写入方法，其特征在于，所述第三电压为9V至10V。
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