[发明专利]敏感性光罩有效
| 申请号： | 200610148080.0 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101211106A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨金坡;张轶楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种敏感性光罩，该光罩至少由石英层和覆盖在石英层表面的铬构成，其中，该光罩的石英层厚度大于0.5mm，且铬的厚度为800A。所述光罩的透光率为40％至60％。所述光罩的图形类型为线和空格相间隔。所述光罩图形中线和空格的比率为1.0/10.0至1.0/5.0。所述光罩的图形线条大小为1.0um至1.6um。与现有技术相比，本发明的敏感性光罩具备特定的厚度，透光率，图性类型以及图形线条大小，在相同的条件下，敏感性光罩可以比现有光罩更快地生长结晶体，以便更早地在后续制程采取补救措施。 | ||
| 搜索关键词： | 敏感性 | ||
【主权项】：
1.一种敏感性光罩，该光罩至少由石英层和覆盖在石英层表面的铬构成，特征在于：该光罩的石英层厚度大于0.5mm，且铬的厚度为800A。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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