[发明专利]敏感性光罩有效
申请号: | 200610148080.0 | 申请日: | 2006-12-27 |
公开(公告)号: | CN101211106A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 杨金坡;张轶楠 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F1/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 敏感性 | ||
技术领域
本发明涉及光罩,具体地说,涉及一种敏感性光罩。
背景技术
曝光过程中,光罩的质量影响到整个图形成形的质量,在光罩的制造工艺中,通常会涉及硫酸,硝酸等化学品,由于这些化学品的存在,光罩中会遗留一些细小原子。当潜伏有细小原子的光罩在曝光的过程受到光照后,这些细小原子会与空气中的离子结合形成一些结晶体,这些结晶体会造成曝光后的晶圆上出现坏点。
目前光罩的制造工艺不能避免产生细小原子,但是如果越早发现这些存在细小原子的光罩,就可以在后续制程中采取补救措施。然而,现有技术不能很及时地发现存在细小原子的光罩,从而造成后续制程存在潜在的风险。
发明内容
本发明的目的在于提供一种敏感性光罩,该光罩可以更快地生长结晶体。
为实现上述目的,本发明提供一种敏感性光罩,该光罩至少由石英层和覆盖在石英层表面的铬构成,其中,该光罩的石英层厚度大于0.5mm,且铬的厚度为800A。
所述光罩的透光率为40%至60%。
所述光罩的图形类型为线和空格相间隔。
所述光罩图形中线和空格的比率为1.0/10.0至1.0/5.0。
所述光罩的图形线条大小为1.0um至1.6um。
与现有技术相比,本发明的敏感性光罩可以具备特定的厚度,透光率,图性类型以及图形线条大小特性,在相同的条件下,敏感性光罩可以比现有光罩更快地生长结晶体,以便更早地在后续制程采取补救措施。
附图说明
通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述,可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中,附图为:
图1为本发明敏感性光罩与普通光罩生长结晶的对比示意图。
具体实施方式
本发明提供一种敏感性光罩,该光罩具备一些特定的技术参数,如下表1所示:
表1
具备表1所有特征的光罩就是本发明的敏感性光罩。
请参阅图1,白色的亮点即是结晶。实验证明,在相同的条件下,该敏感性光罩和普通光罩相比,敏感性光罩在曝光过程中更容易生长结晶体。
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