[发明专利]晶片干燥方法及装置有效
| 申请号： | 200610147946.6 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101210769A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 丁士成;罗仕洲;詹扬;李强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | F26B3/06 | 分类号： | F26B3/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种晶片干燥方法，包括：当晶片完全位于液面之下时，向液面以及上方空间喷洒冲洗液蒸汽以及干燥气体；以预定的速度将晶片抬升出液面，当晶片开始高于液面时，停止喷洒冲洗液蒸汽，仅仅喷洒干燥气体；在晶片抬升至离开液面的过程中，始终喷洒干燥气体；在晶片完全离开液面后，继续喷洒干燥气体至晶片表面干燥。采用本发明的技术方案，通过控制喷洒冲洗液蒸汽的量来有效地避免保护层与冲洗液蒸汽的互溶现象，又保证有足够的Marangoni力产生来进行干燥过程。同时，通过加温的过程，能够加快干燥的速度，提高工作的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 干燥 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种晶片干燥方法，包括：当晶片完全位于液面之下时，向液面以及上方空间喷洒冲洗液蒸汽以及干燥气体；以预定的速度将晶片抬升出液面，当晶片开始高于液面时，停止喷洒冲洗液蒸汽，仅仅喷洒干燥气体；在晶片抬升至离开液面的过程中，始终喷洒干燥气体；在晶片完全离开液面后，继续喷洒干燥气体至晶片表面干燥。
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