[发明专利]晶片干燥方法及装置

权利要求书

1.一种晶片干燥方法，包括：

当晶片完全位于液面之下时，向液面以及上方空间喷洒冲洗液蒸汽以及干燥气体；

以预定的速度将晶片抬升出液面，当晶片开始高于液面时，停止喷洒冲洗液蒸汽，仅仅喷洒干燥气体；

在晶片抬升至离开液面的过程中，始终喷洒干燥气体；

在晶片完全离开液面后，继续喷洒干燥气体至晶片表面干燥。

2.如权利要求1所述的晶片干燥方法，其特征在于，

所述冲洗液蒸汽为IPA蒸汽，干燥气体为N₂。

3.如权利要求2所述的晶片干燥方法，其特征在于，

所述干燥过程包括加温过程，所述加温过程将晶片周边温度加热至至少30℃。

4.如权利要求3所述的晶片干燥方法，其特征在于，

所述晶片抬升离开液面的速度小于2mm/s。

5.如权利要求4所述的晶片干燥方法，其特征在于，

所述IPA蒸汽的浓度使得所述晶片表面能够在N₂流过时产生足够的Marangoni力。

6.一种晶片干燥装置，包括：

一干燥腔；

一液槽，位于所述干燥腔的底部，放置晶片以及液体，其中所述晶片初始是完全位于所述液面之下；

一喷洒头，位于所述干燥腔的顶部，喷洒冲洗液蒸汽和/或干燥气体；其中，当晶片完全位于液面之下时，向液面以及上方空间喷洒冲洗液蒸汽以及干燥气体，当晶片开始高于液面时，停止喷洒冲洗液蒸汽，仅仅喷洒干燥气体，在晶片抬升至离开液面的过程中以及晶片完全离开液面后，喷洒干燥气体至晶片表面干燥；

一抬升装置，以预定的速度将晶片抬升出液面直至完全离开液面。

7.如权利要求6所述的晶片干燥装置，其特征在于，

所述喷洒头喷洒的冲洗液蒸汽为IPA蒸汽，干燥气体为N₂。

8.如权利要求7所述的晶片干燥装置，其特征在于，该干燥装置还包括：

加温装置，将晶片周边温度加热至至少30℃。

9.如权利要求8所述的晶片干燥装置，其特征在于，

所述抬升装置抬升晶片离开液面的速度小于2mm/s。

10.如权利要求9所述的晶片干燥装置，其特征在于，

所述喷洒头喷洒的IPA蒸汽的浓度使得所述晶片表面能够在N₂流过时产生足够的Marangoni力。