[发明专利]一种金属多层膜霍尔器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200610144053.6 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101192645A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 竺云;蔡建旺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属多层膜霍尔器件，其由在硅基片上交替生长的磁性金属层和Pt层构成，磁性金属选用Fe、Co或/和CoFe合金。该金属霍尔器件具有超高灵敏度，在室温下甚至可以达到1200V/AT，这已经超过了目前半导体霍尔器件的灵敏度，可应用于传感器和磁存储系统中。本发明提供的上述金属霍尔器件的制备工艺简单、重复且稳定，非常适合实际操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 多层 霍尔 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属多层膜霍尔器件，包括：一硅基片层，和在其上交替周期性生长的磁性金属层和Pt层；所述的磁性金属层的材料为Fe、Co或/和Co100-xFex合金，0＜x＜100。
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