[发明专利]一种金属多层膜霍尔器件及其制备方法

权利要求书

1.一种金属多层膜霍尔器件，包括：一硅基片层，和在其上交替周期性生长的磁性金属层和Pt层；所述的磁性金属层的材料为Fe、Co或/和Co_100-xFe_x合金，0＜x＜100。

2.如权利要求1所述的金属多层膜霍尔器件，其特征在于：所述磁性金属层为Fe，基片层上交替周期性生长的磁性金属层和Pt层的结构表示为[Fe(t_Fe nm)/Pt(t_Ptnm)]_m，其中Fe层的厚度t_Fe为0.2-0.6nm，Pt层的厚度t_Pt为0.4-1.8nm，生长周期数m为2-24。

3.如权利要求2所述的金属多层膜霍尔器件，其特征在于：所述的Fe层的厚度t_Fe为0.4nm，Pt层的厚度t_Pt为1.2nm，生长周期数m为12。

4.如权利要求1所述的金属多层膜霍尔器件，其特征在于：所述磁性金属层为Co，基片层上交替周期性生长的磁性金属层和Pt层的结构表示为[Co(t_Co nm)/Pt(t_Ptnm)]₁，其中Co层的厚度t_Co为0.2-0.5nm，Pt层的厚度t_Pt为0.6-2nm，生长周期数i为2-4。

5.如权利要求1所述的金属多层膜霍尔器件，其特征在于：所述磁性金属层为CoFe，基片层上交替周期性生长的磁性金属层和Pt层的结构表示为[CoFe(t_CoFe nm)/Pt(t_Pt nm)]_n，其中CoFe层的厚度t_CoFe为0.2-0.5nm，Pt层的厚度t_Pt为0.6-2nm，生长周期数n为2-4。

6.如权利要求5所述的金属多层膜霍尔器件，其特征在于：所述磁性金属层为Co₉₀Fe₁₀，其厚度t_CoFe为0.28nm，Pt层的厚度t_Pt为1.2nm，生长周期数n为3。

7.如权利要求1所述的金属多层膜霍尔器件，其特征在于：所述磁性金属层为Fe和CoFe的组合时，基片层上交替周期性生长的磁性金属层和Pt层的结构表示为[CoFe(t_CoFe nm)/Pt(t_Pt nm)]_n/[Fe(t_Fe nm)/Pt(t_Pt nm)]_m，或者[Fe(t_Fe nm)/Pt(t_Pt nm)]_m/[CoFe(t_CoFe nm)/Pt(t_Pt nm)]_n/[Fe(t_Fe nm)/Pt(t_Pt nm)]_m，其中Fe层的厚度t_Fe为0.3-0.4nm，CoFe层的厚度t_CoFe为0.2-0.5nm，Pt层的厚度t_Pt为0.9-2nm，生长周期数m为1-5，n为2-4。

8.如权利要求7所述的金属多层膜霍尔器件，其特征在于：所述磁性金属层为Fe和CoFe的组合为[Co₉₀Fe₁₀(0.28nm)/Pt(1.2nm)]₃/[Fe(0.4nm)/Pt(1.2nm)]_1-4。

9.如权利要求7所述的金属多层膜霍尔器件，其特征在于：所述磁性金属层为Fe和CoFe的组合为[Fe(0.4nm)/Pt(1.2nm)]₁/[Co₉₀Fe₁₀(0.3nm)/Pt(1.2nm)]₂/[Fe(0.4nm)/Pt(1.2nm)]₁。