[发明专利]具有载子提供层的多重量子井氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 200610142735.3 | 申请日： | 2006-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101174662A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 武良文;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多重量子井发光二极管结构，其在发光层的一侧设置有载子提供层，以提供额外的载子给发光层参与重新结合，因此可以避免/降低在发光层内杂质的使用。该载子提供层是包含有多重交替堆栈的井层和位障层，这些井层和位障层各具有5～300的厚度，而使载子提供层总厚度为1～500nm。井层和位障层均是由掺杂Si或Ge的AlpInqGa1－p－qN(p，q≥0，0≤p+q≤1)化合物半导体所制成，但各具有不同的组成，其中位障层具有高于井层的能带隙。载子提供层的电子浓度是在1×1017～5×1021/cm3之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 提供 多重 量子 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物MQW LED结构，至少包含：基板；第一接触层，是位于该基板上方，该第一接触层是由具有第一导电型的GaN系材料制成；载子提供层，是位于该第一接触层的上方，该载子提供层是由至少两层井层与至少两层位障层交替堆栈而成，该井层与该位障层各由掺杂有n型杂质的GaN系材料制成，该位障层具有高于该井层的能带隙；发光层，是位于该载子提供层上方，该发光层是具有由复数层的井层与位障层所构成的MQW结构，该井层与该位障层各由GaN系材料制成；以及第二接触层，是位于该发光层上方，该第二接触层是由具有与该第一导电型相反的第二导电型的GaN系材料制成；其中，该载子提供层的该井层具有高于该发光层的该井层的能带隙。
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