[发明专利]用于热和等离子体增强气相沉积的设备和其操作方法有效
申请号: | 200610140313.2 | 申请日: | 2006-11-20 |
公开(公告)号: | CN101082125A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 李一成;石坂忠大;山本薰;五味淳;原正道;藤里敏章;雅克·法盖特;水泽宁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52;C23C16/06 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统,包括:将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度;将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度;将衬底布置在第一组件的处理空间中,所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离;以及将材料沉积在衬底上。因此,所述系统包括第一组件,其具有配置来便于材料沉积的处理空间;第二组件,其被耦合到第一组件,并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间;衬底台,其连接到所述第二组件,并且配置来支撑衬底;以及密封部件,其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下,第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。 | ||
搜索关键词: | 用于 热和 等离子体 增强 沉积 设备 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在衬底上形成沉积物的沉积系统,包括:第一组件,其具有配置来便于材料沉积的处理空间;第二组件,其被耦合到所述第一组件,并且具有便于将所述衬底转入或者转出所述沉积系统的转移空间;衬底台,其连接到所述第二组件,并且配置来支撑所述衬底;密封部件,其被配置来将所述处理空间与所述转移空间隔离;其中,所述第一组件被配置为保持在第一温度下,所述第二组件被配置为保持在低于所述第一温度的降低温度下。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的