[发明专利]半导体元件、互补金属氧化物半导体元件及其形成方法无效
| 申请号： | 200610139919.4 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101154594A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 洪国信 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/84;H01L29/78;H01L27/092;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件的形成方法，首先在基底上形成晶体管，此晶体管包括基底上的栅极结构、栅极结构侧壁的间隙壁与栅极结构两侧基底中的源/漏极区。接着，在基底上方形成衬层，其顺应性地覆盖住晶体管，再移除部分衬层，以在晶体管的间隙壁上形成衬层间隙壁。接着，在基底上方形成应力层，其覆盖晶体管与衬层间隙壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 互补 金属 氧化物 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的形成方法，包括：在基底上形成晶体管，其中所述晶体管包括所述基底上的栅极结构、所述栅极结构侧壁的间隙壁与所述栅极结构两侧的基底中的源/漏极区；在所述基底上方形成衬层，顺应性地覆盖住所述晶体管；移除部分所述衬层，以在所述晶体管的间隙壁上形成衬层间隙壁；以及在所述基底上方形成应力层，覆盖所述晶体管与衬层间隙壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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