[发明专利]非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术有效
| 申请号： | 200610139876.X | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101064246A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 王文;郭海成;孟志国;张冬利;施雪捷 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/322;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明讲述的是通过非晶硅金属诱导结晶制备高质量，大面积多晶硅薄膜的技术。此技术需要对起始的非晶硅薄膜引入可控量的诱导结晶金属元素；第一个低温热处理引起金属诱导结晶成核现象并形成很小的多晶硅“岛”；在此部分晶化薄膜材料上形成金属吸除层；金属诱导结晶过程经过第二个低温热处理完成，并形成所期望的多晶硅薄膜；金属吸除层在完成结晶热处理之后可以随意去掉。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 金属 诱导 结晶 技术 | ||
【主权项】：
1.制备多晶硅薄膜技术包含以下步骤：·制备非晶硅薄膜；·在上述非晶硅薄膜表面引入微量金属镍或者含镍物质为诱导层；·对由上述样品进行第一步退火过程，以得到不连续的多晶硅“岛”；·在上述已部分晶化的薄膜上沉积金属吸收层；·完成金属诱导晶化的第二步退火过程；·去除金属吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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