[发明专利]非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术

权利要求书

1.制备多晶硅薄膜的技术，包含以下步骤：

·制备非晶硅薄膜；

·在上述非晶硅薄膜表面引入微量金属镍或者含镍物质为诱导层；

·对由上述样品进行第一步退火过程，以得到不连续的多晶硅“岛”；

·在上述已部分晶化的薄膜上沉积金属吸收层；

·完成金属诱导晶化的第二步退火过程；

·去除金属吸收层。

2.权利要求1的技术，其中非晶硅薄膜采用但不限于低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子增强型化学气相沉积(PECVD)和溅射方法沉积。

3.权利要求1的技术，其中非晶硅薄膜厚度为10-1000纳米。

4.权利要求1的技术，其中所述金属为镍，采用的引入镍的方法包括溅射、蒸发、离子注入、溶液浸泡或旋涂。

5.权利要求1的技术，其中所述金属或含金属物质中的镍与所覆盖非晶硅中硅的原子个数比为0.01％-0.1％。

6.权利要求1的技术，其中所述的第一步退火过程在氮气气氛下完成，退火温度550-590℃，时间1-2小时。

7.权利要求1的技术，其中所述不连续的多晶硅“岛”为金属诱导横向晶化多晶硅。

8.权利要求1的技术，其中所述的金属吸收层材料是磷硅玻璃PSG，采用的磷硅玻璃的制备方法包括PECVD和LPCVD。

9.权利要求1的技术，其中所述的金属吸收层的厚度为100-900纳米。

10.权利要求1的技术，其中所述的第二个退火过程在氮气气氛下完成，退火温度550-590℃，时间2-3小时。

11.权利要求8的技术，其中所述去除金属吸收层过程，为采用稀释氢氟酸、BOE等腐蚀掉磷硅玻璃，吸附在其中的金属镍同时被除去。

12.应用权利要求1至11中所述的技术制备的多晶硅薄膜来制作薄膜晶体管，和相应电路、有源矩阵和显示基板。