[发明专利]GeSbTe薄膜的制造方法、相变随机访问存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610136260.7 | 申请日： | 2006-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101093873A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 申雄澈;姜允善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了在非晶材料层上制造具有良好结晶性和良好表面形貌的GeSbTe薄膜的方法，以及使用该GeSbTe薄膜制造方法制造相变随机访问存储器的方法及相变随机访问存储器。制造GeSbTe薄膜的方法包括如下操作：通过向非晶材料层上表面供给选自由Ge前驱体、Sb前驱体及Te前驱体组成的组中的一种或两种，由此获得由Ge、Sb、Te、Sb2Te3或掺Sb的Ge形成的籽晶层；以及通过向籽晶层的上表面供给Ge前驱体、Sb前驱体和Te前驱体而形成GeSbTe薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | gesbte 薄膜 制造 方法 相变 随机 访问 存储器 及其 | ||
【主权项】：
1.一种GeSbTe薄膜的制造方法，所述方法包括：通过向非晶材料层的上表面供给选自由Ge前驱体、Sb前驱体及Te前驱体组成的组中的一种或两种，由此获得由Ge、Sb、Te、Sb2Te3或掺Sb的Ge形成的籽晶层；以及通过向所述籽晶层的上表面供给Ge前驱体、Sb前驱体和Te前驱体而形成GeSbTe薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610136260.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：石英制品的烘焙方法以及石英制品
- 下一篇：多组件陶瓷坩埚及其制造方法
