[发明专利]GeSbTe薄膜的制造方法、相变随机访问存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610136260.7 | 申请日： | 2006-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101093873A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 申雄澈;姜允善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gesbte 薄膜 制造 方法 相变 随机 访问 存储器 及其 | ||
1.一种GeSbTe薄膜的制造方法，所述方法包括：
通过向非晶材料层的上表面供给选自由Ge前驱体、Sb前驱体及Te前驱体组成的组中的一种或两种，由此获得由Ge、Sb、Te、Sb2Te3或掺Sb的Ge形成的籽晶层；以及
通过向所述籽晶层的上表面供给Ge前驱体、Sb前驱体和Te前驱体而形成GeSbTe薄膜。
2.权利要求1所述的方法，其中所述非晶材料层由SiO2、SiON与Si3N4中的一种形成。
3.权利要求1所述的方法，其中所述籽晶层形成1至10nm的厚度。
4.权利要求1所述的方法，其中所述籽晶层与所述GeSbTe薄膜由金属有机物化学气相沉积形成。
5.权利要求1所述的方法，其中根据原位工艺形成所述籽晶层与所述GeSbTe薄膜。
6.权利要求1所述的方法，其中以10至400sccm的流速供给所述Ge前驱体、Sb前驱体和Te前驱体每一种。
7.权利要求1所述的方法，其中在0.001至10Torr的压力下形成所述籽晶层与所述GeSbTe薄膜。
8.权利要求1所述的方法，其中在250至500℃的温度下形成所述籽晶层与所述GeSbTe薄膜。
9.权利要求1所述的方法，其中当所述籽晶层由掺Sb的Ge形成时，Sb相对于Ge的掺杂浓度控制在1％至30％的范围内。
10.权利要求1所述的方法，其中所述Ge前驱体包含选自由下述物质组成的组中的至少一种：(CH3)4Ge、(C2H5)4Ge、(n-C4H9)4Ge、(i-C4H9)4Ge、(C6H5)4Ge、(CH2＝CH)4Ge、(CH2CH＝CH2)4Ge、(CF2＝CF)4Ge、(C6H5CH2CH2CH2)4Ge、(CH3)3(C6H5)Ge、(CH3)3(C6H5CH2)Ge、(CH3)2(C2H5)2Ge、(CH3)2(C6H5)2Ge、CH3(C2H5)3Ge、(CH3)3(CH＝CH2)Ge、(CH3)3(CH2CH＝CH2)Ge、(C2H5)3(CH2CH＝CH2)Ge、(C2H5)3(C5H5)Ge、(CH3)3GeH、(C2H5)3GeH、(C3H7)3GeH、Ge(N(CH3)2)4、Ge(N(CH3)(C2H5))4、Ge(N(C2H5)2)4、Ge(N(i-C3H7)2)4及Ge[N(Si(CH3)3)2]4。
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