[发明专利]稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其制备方法

摘要

稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其制备方法，涉及发光材料领域。该玻璃陶瓷组分为(摩尔比)：57.0SiO₂－xB₂O₃－2.0Al₂O₃－5.0ZnO－12.0Na₂O－12.0K₂O－5.5CaO－yMN－zRe₂O₃，y＝1.0－2.0，z＝0－2.0，x＝(6.5－y－z)，其中M为Cd²⁺、Zn²⁺或它们的组合，N为S^2－、Se^2－或它们的组合，Re为Er³⁺、Eu³⁺、Sm³⁺、Tm³⁺、Ho³⁺、Tb³⁺等三价镧系稀土离子。采用熔体急冷法制备。该玻璃陶瓷通过在非晶氧化物基体中析出均匀分布的半导体量子点，在能量高于半导体量子点带隙的入射光激发下，实现稀土离子的发光。

主权项

1.稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料，其特征在于：该玻璃陶瓷组分为(重量比)：57.0SiO2-xB2O3-2.0Al2O3-5.0ZnO-12.0Na2O-12.0K2O-5.5CaO-yMN-zRe2O3，y-1.0-2.0，z＝0-2.0，x-6.5-y-z，其中M为Cd2+、Zn2+ 或它们的组合，N为S2-、Se2-或它们的组合，Re为Er3+、Eu3+、Sm3+、Tm3+、Ho3+ 或Tb3+三价镧系稀土离子。。