[发明专利]稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其制备方法

权利要求书

1.稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料，其特征在于：该玻璃陶瓷组分为(重量比)：57.0SiO₂-xB₂O₃-2.0Al₂O₃-5.0ZnO-12.0Na₂O-12.0K₂O-5.5CaO-yMN-zRe₂O₃，y-1.0-2.0，z＝0-2.0，x-6.5-y-z，其中M为Cd²⁺、Zn²⁺或它们的组合，N为S^2-、Se^2-或它们的组合，Re为Er³⁺、Eu³⁺、Sm³⁺、Tm³⁺、Ho³⁺或Tb³⁺三价镧系稀土离子。。

2.一种权利要求1的稀土掺杂的稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料的制备方法，其特征在于：采用熔体急冷法制备。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：采用SiO₂、Al₂O₃、H₃BO₃、ZnO、Na₂CO₃、K₂CO₃、CaCO₃、CdS、ZnS、Se和ReF₃粉体作为原料，在电阻炉中加热至1300-1550℃，并保温0.1-6小时，然后，将玻璃熔液快速倒入预热的铜模中成形；将获得的玻璃适当退火以消除内应力；退火后的玻璃继续升温到500-700℃，保温0-6小时。