[发明专利]用于高压工艺的横向PNP器件结构无效
| 申请号： | 200610119565.7 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202303A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李平梁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，还包括栅，该栅设于集电极和发射极之间。本发明的横向PNP器件可以使用于各种高压工艺，具有成本低，无需增加额外工艺步骤，与常规高压工艺兼容，面积小，噪声低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高压 工艺 横向 pnp 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，其特征在于，还包括栅，该栅设于集电极和发射极之间。
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