[发明专利]用于高压工艺的横向PNP器件结构无效
| 申请号： | 200610119565.7 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202303A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李平梁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 高压 工艺 横向 pnp 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，其特征在于，还包括栅，该栅设于集电极和发射极之间。
2.如权利要求1所述的用于高压工艺的横向PNP器件结构，其特征在于，所述的用于高压工艺的横向PNP器件作为PNP工作时，在所述的栅上加正电压，使晶体管处于完全截止的状态。
3.如权利要求1所述的用于高压工艺的横向PNP器件结构，其特征在于，所述的集电极和所述的发射极之间设有一层多晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610119565.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车辆的主体结构
- 下一篇：利用非天然编码氨基酸的生物合成多肽
- 同类专利
- 专利分类
