[发明专利]器件充电模式静电放电保护电路及结构有效
| 申请号： | 200610118717.1 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101192753A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 常欣;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H01L23/60;H01L27/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种器件充电模式静电放电保护电路，包括作为充电模式静电放电箝位器的GGNMOS器件，连接在输入级电路栅极和地线引脚之间；还包括一肖特基二极管，连接在所述GGNMOS的源极和所述地线引脚之间，该肖特基二极管金属极与所述GGNMOS源极连接，半导体极与地线引脚连接；本发明同时公开了上述电路的对应结构。本发明中将肖特基二极管连接在GGNMOS的源极和地线引脚之间，因肖特基二极管的正向导通电压大致为0.3V左右，与现有技术相比，在发生充电模式静电放电时，其导通电压低，能够更快的进入导通状态并泄放电流。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 充电 模式 静电 放电 保护 电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种器件充电模式静电放电保护电路，包括作为充电模式静电放电箝位器的GGNMOS器件，连接在输入级电路栅极和地线引脚之间，其特征是：包括一肖特基二极管，该肖特基二极管金属极与所述GGNMOS源极连接，半导体极与地线引脚连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610118717.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
