[发明专利]一种具双重特性的三极管器件及其应用方法

摘要

本发明公开了一种具双重特性的三极管器件及其应用方法，该器件，包括一NPN(或者PNP)三极管、负载一、负载二、N沟道MOS场效应管一、P沟道MOS场效应管一、N沟道MOS场效应管二、P沟道MOS场效应管二、控制信号源，当控制信号源发出的控制信号为高电压时，三极管工作状态不改变；当控制信号为低电压时，三极管原来的集电极作为发射极工作，原发射极作为集电极工作。本发明由于由外部信号来控制单个三极管器件发射极和集电极的选择，从而达到单个器件可以为不同的功能工作，增加了电路设计的选择空间，降低了对制造工艺复杂性的要求。

主权项

1.一种具双重特性的三极管器件，其特征在于，包括一NPN三极管、负载一、负载二、N沟道MOS场效应管一、P沟道MOS场效应管一、N沟道MOS场效应管二、P沟道MOS场效应管二、控制信号源，其中，所述N沟道MOS场效应管一的漏极和P沟道MOS场效应管一的漏极接于所述NPN三极管的集电极；所述N沟道MOS场效应管二的漏极和P沟道MOS场效应管二的漏极接于所述NPN三极管的发射极；所述N沟道MOS场效应管一的源极和P沟道MOS场效应管二的源极接于所述负载一的一端，所述负载一的另一端接于电源；所述P沟道MOS场效应管一的源极和N沟道MOS场效应管二的源极接于所述负载二的一端，所述负载二的另一端接地；所述N沟道MOS场效应管一、P沟道MOS场效应管一、N沟道MOS场效应管二和P沟道MOS场效应管二的栅极与所述控制信号源连接，该控制信号源可发出高低压信号。