[发明专利]一种具双重特性的三极管器件及其应用方法有效
| 申请号： | 200610118451.0 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101188236A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁;李隽松 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双重 特性 三极管 器件 及其 应用 方法 | ||
1.一种具双重特性的三极管器件，其特征在于，包括一NPN三极管、负载一、负载二、N沟道MOS场效应管一、P沟道MOS场效应管一、N沟道MOS场效应管二、P沟道MOS场效应管二、控制信号源，其中，所述N沟道MOS场效应管一的漏极和P沟道MOS场效应管一的漏极接于所述NPN三极管的集电极；所述N沟道MOS场效应管二的漏极和P沟道MOS场效应管二的漏极接于所述NPN三极管的发射极；所述N沟道MOS场效应管一的源极和P沟道MOS场效应管二的源极接于所述负载一的一端，所述负载一的另一端接于电源；所述P沟道MOS场效应管一的源极和N沟道MOS场效应管二的源极接于所述负载二的一端，所述负载二的另一端接地；所述N沟道MOS场效应管一、P沟道MOS场效应管一、N沟道MOS场效应管二和P沟道MOS场效应管二的栅极与所述控制信号源连接，该控制信号源可发出高低压信号。
2.一种具双重特性的三极管器件，其特征在于，包括一PNP三极管、负载一、负载二、N沟道MOS场效应管一、P沟道MOS场效应管一、N沟道MOS场效应管二、P沟道MOS场效应管二、控制信号源，其中，所述N沟道MOS场效应管一的漏极和P沟道MOS场效应管一的漏极接于所述PNP三极管的集电极；所述N沟道MOS场效应管二的漏极和P沟道MOS场效应管二的漏极接于所述PNP三极管的发射极；所述N沟道MOS场效应管一的源极和P沟道MOS场效应管二的源极接于所述负载一的一端，所述负载一的另一端接于电源；所述P沟道MOS场效应管一的源极和N沟道MOS场效应管二的源极接于所述负载二的一端，所述负载二的另一端接地；所述N沟道MOS场效应管一、P沟道MOS场效应管一、N沟道MOS场效应管二和P沟道MOS场效应管二的栅极与所述控制信号源连接，该控制信号源可发出高低压信号。
3.一种三极管器件的应用方法，用于包含根据权利要求2或3所述具双重特性的三极管器件的电路中，其特征在于，控制信号源发出的控制信号为高电压时，所述三极管工作状态不改变；当控制信号为低电压时，所述三极管原来的集电极作为发射极工作，原发射极作为集电极工作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610118451.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：实现在移动通信系统中减少扇区间导频干扰的系统和方法
- 下一篇：戒指
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
