[发明专利]一种玻璃衬底上制备牢固碳膜的方法无效
| 申请号： | 200610118331.0 | 申请日： | 2006-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101182131A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 华缜;王红光;曹章轶 | 申请（专利权）人： | 上海广电电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36;C03C17/06;C03C17/22 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200060*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种玻璃衬底上制备牢固碳膜的方法，涉及薄膜成型技术领域；本发明以玻璃为衬底，先在玻璃上沉积一层铬、铂、钼、钽、钛、锡、铋、锑、铟，等金属，再在这些金属上沉积铁、钴、镍、钯，或直接在玻璃上沉积铬、铂、钼、钽、钛、锡、铋、锑、铟等与铁、钴、镍、钯的合金或其金属氧化物作为催化剂，然后用常规的化学气相沉积法生长碳膜。合金薄膜采用电子束共蒸发的沉积装置，可以任意控制合金薄膜的成分；生长碳膜时的衬底温度为400℃～600℃。本发明成功地解决了在玻璃衬底上生长碳膜的牢固度问题及低温条件下生长高质量碳膜的问题，并可以控制生长碳膜的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 衬底 制备 牢固 方法 | ||
【主权项】：
1.一种玻璃衬底上制备牢固碳膜的方法，其特征在于，按如下具体制作步骤进行：1)先在玻璃上沉积一层铬、铂、钼、钽、钛、锡、铋、锑、铟中的任何一种金属薄膜；2)再在所述金属薄膜上沉积铁、钴、镍、钯中的任何一种金属的薄膜；3)然后用常规的化学气相沉积法生长碳膜，生长碳膜时的衬底温度为400℃～600℃。
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