[发明专利]用于分栅结构闪存的浮栅制作方法

摘要

本发明公开了一种用于分栅结构闪存的浮栅制作方法，在分栅结构闪存中采用各向同性干法刻蚀加薄层氧化方法定义浮栅，再把氧化区以外的多晶硅刻蚀掉，从而得到尖锐的浮栅周边。采用该方法形成的浮栅尖端形状不受其它步骤影响，工艺易于优化和控制，且擦除效率得到提高。

主权项

1.一种用于分栅结构闪存的浮栅制作方法，包括如下步骤：步骤1，在多晶硅上淀积氮化硅薄膜，然后光刻并干法刻蚀氮化硅；步骤2，淀积二氧化硅以覆盖暴露出的多晶硅，再用CMP方法去除多余的二氧化硅，用湿法刻蚀去除氮化硅；步骤3，干法刻蚀未被二氧化硅覆盖的多晶硅制成浮栅；步骤4，生长多晶硅之间的氧化层，淀积好准备作控制栅的多晶硅，光刻并干刻多晶硅制成控制栅，从而形成分栅结构；其特征在于，在步骤1和步骤2之间增加步骤：在氮化硅被刻去的区域用各向同性的干法刻蚀条件少量刻蚀多晶硅，然后用热氧化法生长二氧化硅薄膜。