[发明专利]离子束电荷量控制方法有效
| 申请号： | 200610116903.1 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101153383A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 朱津泉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/48;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子束电荷量控制方法，用于正式生产前的试片测试，包括：提供一半导体晶片作为测试用试片；在所述晶片表面形成测试图形；向具有所述图形的晶片表面注入杂质离子并加入特定剂量的电子；测量所述晶片表面不同区域的复数个方块电阻值；根据所述复数个方块电阻值的变化趋势调整所述电子的加入剂量。本发明的离子束电荷量控制方法能够通过监测离子注入的均匀度来确定晶片上加入电子的剂量是否达到最佳并相应地进行调整。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 电荷 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子束电荷量控制方法，用于正式生产前的试片测试，包括：在反应室内提供一半导体晶片作为测试试片；在所述试片表面形成绝缘层，所述绝缘层之间具有间隔，将所述试片表面分为开阔区域和狭长区域；对所述试片进行离子束注入并向所述离子束中加入特定剂量的电子；沿着所述开阔区域和狭长区域测量复数个方块电阻值；根据所述复数个方块电阻值的变化趋势调整所述加入电子的剂量。
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