[发明专利]离子束电荷量控制方法

权利要求书

1.一种离子束电荷量控制方法，用于正式生产前的试片测试，包括：

在反应室内提供一半导体晶片作为测试试片；

在所述试片表面形成绝缘层，所述绝缘层之间具有间隔，将所述试片表面分为开阔区域和狭长区域；

对所述试片进行离子束注入并向所述离子束中加入特定剂量的电子；

沿着所述开阔区域和狭长区域测量复数个方块电阻值；

根据所述复数个方块电阻值的变化趋势调整所述加入电子的剂量。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：形成所述绝缘层的步骤包括：

在所述试片表面淀积绝缘物质；

涂布光刻胶并图案化所述光刻胶形成绝缘层掩膜图形；

刻蚀未被所述掩膜图形覆盖的绝缘层并去除所述光刻胶。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述绝缘物质为氧化硅或氮化硅。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述绝缘层的厚度为20～30000。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述狭长区域的宽度为1mm～200mm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述开阔区域和狭长区域为相通的连续区域。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述连续区域沿所述试片的直径方向对称分布。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

若所述开阔区域的方块电阻值小于所述狭缝区域的方块电阻值，则增大电子的加入剂量；

若所述开阔区域的方块电阻值大于所述狭缝区域的方块电阻值，则减小电子的加入剂量。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方块电阻值的数量为15～50个。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：测量方块电阻之前，所述方法还包括对试片进行退火的步骤。