[发明专利]一种具有全波长的光探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有全波长的光探测器及制备方法，该光探测器包括：一基底，在基底上生长一层ZnO或La_1－xSr_xMnO₃膜，再在ZnO或La_1－xSr_xMnO₃膜上生长一层La_1－xSr_xMnO₃或ZnO膜形成异质结，ZnO/La_1－xSr_xMnO₃异质结结构与基底一起构成光探测器的芯片；所述的第一电极设置在ZnO膜上，第二电极设置在La_1－xSr_xMnO₃膜上，第一电极引线和第二电极引线连接在电极上；所述的La_1－xSr_xMnO₃，其中x为0.01－0.5。该器件采用常规分子束外延、脉冲激光淀积、化学气相沉积、溅射、物理气相沉积或超声喷雾的方法和设备，在基底上进行制备异质结形成光探测器芯片。当光照射探测器后直接产生电压信号，不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，光生电压信号可达近百mV。

主权项

1.一种具有全波长的光探测器包括：一基底，在基底上生长一层光响应层，第一电极、第二电极、第一电极引线和第二电极引线；其特征在于，所述的光响应层为ZnO或La1-xSrxMnO3膜，还包括再在ZnO或La1-xSrxMnO3膜上生长第二光响应层形成异质结，所述的第二光响应层为La1-xSrxMnO3或ZnO膜，所述的ZnO/La1-xSrxMnO3异质结结构与基底一起构成光探测器的芯片；所述的第一电极设置在ZnO膜上，第二电极设置在La1-xSrxMnO3膜上，第一电极引线和第二电极引线连接在电极上；所述的La1-xSrxMnO3，其中x为0.01-0.5。