[发明专利]一种具有全波长的光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种具有全波长的光探测器包括：一基底，在基底上生长一层光响应层，第一电极、第二电极、第一电极引线和第二电极引线；其特征在于，所述的光响应层为ZnO或La_1-xSr_xMnO₃膜，还包括再在ZnO或La_1-xSr_xMnO₃膜上生长第二光响应层形成异质结，所述的第二光响应层为La_1-xSr_xMnO₃或ZnO膜，所述的ZnO/La_1-xSr_xMnO₃异质结结构与基底一起构成光探测器的芯片；所述的第一电极设置在ZnO膜上，第二电极设置在La_1-xSr_xMnO₃膜上，第一电极引线和第二电极引线连接在电极上；所述的La_1-xSr_xMnO₃，其中x为0.01-0.5。

2.按权利要求1所述的具有全波长的光探测器，其特征在于，还包括一电阻，所述的第一电极引线和第二电极引线与所述的电阻两端连接，所述的电阻的阻值为0.01欧-1M欧姆。

3.按权利要求1所述的具有全波长的光探测器，其特征在于，还包括一探测器外壳，将探测器安装在所述的探测器外壳内，用同轴电缆接头引出两个电极引线的输出端。

4.按权利要求1、2或3所述的具有全波长的光探测器，其特征在于，所述的两个电极引线的输出端连接一放大电路或电压测试设备。

5.按权利要求1所述的具有全波长的光探测器，其特征在于，所述的基底是氧化镁、钛酸锶、掺铌钛酸锶、铝酸镧、蓝宝石、Si或SiC。

6.按权利要求1所述的具有全波长的光探测器，其特征在于，所述的ZnO膜厚度在0.6纳米～10微米；所述的La_1-xSr_xMnO₃膜厚度在0.8纳米～10微米。

7.按权利要求1所述的具有全波长的光探测器，其特征在于，所述的第一电极和第二电极是一个点，一条线或面；该电极为铟、焊锡、Ag、铂、金、银或铝的金属电极。