[发明专利]硅片刻蚀方法有效
| 申请号： | 200610113756.2 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101162692A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 杨柏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片刻蚀方法，用于对硅片进行刻蚀，包括硅上层刻蚀步，用于对硅上层刻蚀沟槽；顶部圆角刻蚀步，用于在沟槽的侧壁上，硅上层与硅基层交界的位置形成顶部圆角；硅基层刻蚀步，用于对硅基层刻蚀沟槽，并在沟槽的底壁与沟槽的侧壁之间形成底部圆角。在顶部圆角刻蚀步中所采用的刻蚀工艺气体为CxHyFz中的至少一种气体与HBr气体的混合气体。在硅基层刻蚀步中所采用的刻蚀工艺气体为CxFy中的至少一种气体与HBr、He、O2气体的混合气体。所述混合气体在需要的工艺条件下，对硅片进行刻蚀，工艺简单、步骤少，成本低，形成的刻蚀槽的顶部圆角和底部圆角圆滑，适用于对各种类型的硅片进行浅沟道隔离刻蚀或其它刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片刻蚀方法，用于在硅片上刻蚀沟槽，所述的硅片为多层结构，包括硅上层、硅基层，其特征在于，包括步骤：A、硅上层刻蚀步，用于对硅上层刻蚀沟槽；B、顶部圆角刻蚀步，用于在沟槽的侧壁上，硅上层与硅基层交界的位置形成顶部圆角；C、硅基层刻蚀步，用于对硅基层刻蚀沟槽，并在沟槽的底壁与沟槽的侧壁之间形成底部圆角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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