[发明专利]硅片刻蚀方法

权利要求书

1.一种硅片刻蚀方法，用于在硅片上刻蚀沟槽，所述的硅片为多层结构，包括硅上层、硅基层，其特征在于，包括步骤：

A、硅上层刻蚀步，用于对硅上层刻蚀沟槽；

B、顶部圆角刻蚀步，用于在沟槽的侧壁上，硅上层与硅基层交界的位置形成顶部圆角；

C、硅基层刻蚀步，用于对硅基层刻蚀沟槽，并在沟槽的底壁与沟槽的侧壁之间形成底部圆角。

2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的步骤B中所采用的刻蚀工艺气体为CxHyFz中的至少一种气体与HBr气体的混合气体，所述x、y、z＞0，且x、y、z均为正整数。

3.根据权利要求2所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的混合气体按照蚀刻工艺要求的比例混合后，按照蚀刻工艺要求的速度和压力充入反应腔室，并在射频电源的作用下，将充入反应腔室的混合气体电离成等离子体，所述反应腔室装有硅片，对硅片的刻蚀工艺在反应腔室内完成，所述等离子体中的活性基团混合产生的聚合物聚集在沟槽底壁与侧壁的夹角处，并在进行所述步骤C的过程中对沟槽的侧壁起到保护作用，在硅上层与硅基层交界的位置形成顶部圆角；所述的活性基团包括Br*、CHF*、CH2F*。

4.根据权利要求2所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的CxHyFz中的至少一种气体为CHF3和/或CH2F2。

5.根据权利要求4所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的CxHyFz气体为CHF3，刻蚀过程中CHF3的供气流量为20～40sccm，HBr的供气流量为35～55sccm，供气压力为20～40mT，刻蚀时间为20～30s。

6.根据权利要求4所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的CxHyFz气体为CH2F2，刻蚀过程中CH2F2的供气流量为10～30sccm，HBr的供气流量为45～65sccm，供气压力为20～40mT，刻蚀时间为20～30s。

7.根据权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的步骤C中所采用的刻蚀工艺气体为CxFy中的至少一种气体与HBr、He、O2气体的混合气体，所述x、y＞0，且x、y均为正整数。

8.根据权利要求7所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的CxFy气体为CF4，刻蚀过程中CF4的供气流量为10～25sccm，HBr的供气流量为130～190sccm，He-O2混合气体的供气流量为5～15sccm，供气压力为10～30mT，刻蚀时间为65～80s。

9.根据权利要求8所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的He-O2混合气体中O2与He的混合比例为20％～40％。

10.根据权利要求9所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述的He-O2混合气体中O2与He的混合比例为30％。