[发明专利]薄膜覆晶封装构造及其使用的电路薄膜有效
| 申请号： | 200610111544.0 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101131981A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 赖奎佑;梁锦坤 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种薄膜覆晶封装构造及其使用的电路薄膜。该薄膜覆晶(Chip－On－Film package，COF)封装构造，主要包含有一电路薄膜、一凸块化晶片以及一点涂胶体。该晶片的凸块是接合至该电路薄膜的引脚。该点涂胶体是形成于该晶片与该电路薄膜之间。并且，该电路薄膜具有至少一跳接线或是额外设置的跳接元件，其是电性导接该些引脚的其中至少二个，可以取代现有习知薄膜覆晶(COF)封装构造中在晶片下方的接地条，并可以解决点涂胶体流布速度不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 封装 构造 及其 使用 电路 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜覆晶封装构造，其特征在于其包含：一电路薄膜，其具有一第一介电层、一第二介电层、复数个在第一介电层与第二介电层之间的引脚及至少一跳接线，其中该跳接线是形成该第二介电层上并电性导接该些引脚的其中至少二个；一晶片，其具有复数个凸块，该些凸块是接合至该些引脚；以及一点涂胶体，其形成于该电路薄膜与该晶片之间。
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