[发明专利]一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法无效
| 申请号： | 200610111350.0 | 申请日： | 2006-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN100435292C | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张晶;高欣;姜立国;李辉;曲轶;刘国军;薄报学 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23F1/16;C09K13/04 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法，属于半导体器件制造技术领域。现有腐蚀方法采用的腐蚀液主要有H2SO4∶H2O2∶H2O体积比分别为1∶8∶8或者3∶3∶1，以及H3PO4∶H2O2∶H2O的体积比分别为1∶1∶10或者1∶1∶5的腐蚀液，在室温或者冰点温度腐蚀，腐蚀液静止。通常适于条形半导体器件的制作，尚不能腐蚀出符合要求的圆形。本发明之腐蚀方法采用由H3PO4和H2O2两种组分组成，各组分的体积比为H3PO4∶H2O2＝10～25∶1的腐蚀液，在30～60℃温度下腐蚀，同时搅动腐蚀液。实现了非选择性腐蚀。本发明可应用于GaAs/AlGaAs半导体器件的制作过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas algaas 晶体 材料 选择 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法，其特征在于，所采用腐蚀液由重量含量为85％的H3PO4和重量含量为30％的H2O2两种组分组成，各组分的体积比为H3PO4∶H2O2＝＝10～25∶1；腐蚀过程在30～60℃之间的某一温度下进行；同时腐蚀液在外力作用下在容器内沿同一方向旋转。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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