[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

摘要

一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，首先提供基底，基底上已形成有栅极结构。栅极结构两侧的基底中形成有数个隔离结构。于栅极结构两侧形成第一间隙壁。移除第一间隙壁两侧与隔离结构之间的部分基底，以形成凹陷。于凹陷中沉积一层源极与漏极层，且源极与漏极层的顶表面高于隔离结构的顶表面。于源极与漏极层两侧与隔离结构上形成第二间隙壁。之后，于源极与漏极层上形成一层金属硅化物层。

主权项

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括：提供基底，该基底上已形成有栅极结构，并且于栅极结构两侧的该基底中形成有多个隔离结构；于该栅极结构两侧形成第一间隙壁；移除该第一间隙壁两侧与该些隔离结构之间的部分该基底，以形成凹陷；于该凹陷中沉积源极与漏极层，其中该源极与漏极层的顶表面高于该些隔离结构的顶表面；于该源极与漏极层两侧与该些隔离结构上形成第二间隙壁；以及于该源极与漏极层上形成金属硅化物层。