[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括：

提供基底，该基底上已形成有栅极结构，并且于栅极结构两侧的该基底中形成有多个隔离结构；

于该栅极结构两侧形成第一间隙壁；

移除该第一间隙壁两侧与该些隔离结构之间的部分该基底，以形成凹陷；

于该凹陷中沉积源极与漏极层，其中该源极与漏极层的顶表面高于该些隔离结构的顶表面；

于该源极与漏极层两侧与该些隔离结构上形成第二间隙壁；以及

于该源极与漏极层上形成金属硅化物层。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，于形成该第二间隙壁之前，还包括移除部分该些隔离结构，而降低该些隔离结构的顶表面高度。

3.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其中该源极与漏极层的形成方法包括选择性外延沉积工艺。

4.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其中该源极与漏极层的材料包括硅锗。

5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其中该源极与漏极层的材料包括硅碳。

6.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括：

提供基底，该基底上已形成有栅极结构，并且于该基底中形成有多个隔离结构；

移除该栅极结构两侧与该些隔离结构之间的部分该基底，以形成凹陷；

于该凹陷中沉积源极与漏极层，其中该源极与漏极层的顶表面高于该些隔离结构的顶表面；

于该栅极结构两侧及该源极与漏极层两侧与该些隔离结构上形成间隙壁；以及

于该源极与漏极层上形成金属硅化物层。

7.如权利要求6所述的金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，于形成该间隙壁之前，还包括移除部分该些隔离结构，而降低该些隔离结构的顶表面高度。

8.如权利要求6所述的金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其中该源极与漏极层的形成方法包括选择性外延沉积工艺。

9.如权利要求6所述的金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其中该源极与漏极层的材料包括硅锗。

10.如权利要求6所述的金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其中该源极与漏极层的材料包括硅碳。

11.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：

基底；

多个隔离结构，配置于该基底中；

栅极结构，配置于该些隔离结构之间的该基底上；

源极与漏极层，位于该栅极结构两侧与该些隔离结构之间的该基底中，其中该源极与漏极层的顶表面高于该些隔离结构的顶表面；以及

间隙壁，位于该栅极结构的侧壁，以及该源极与漏极层的侧壁与该些隔离结构上。

12.如权利要求11所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该源极与漏极层的结构包括外延。

13.如权利要求11所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该源极与漏极层的材料包括硅锗。

14.如权利要求11所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该源极与漏极层的材料包括硅碳。

15.一种互补式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括：

提供基底，该基底可分为第一元件区及第二元件区，该第一元件区及该第二元件区的该基底上分别形成有多个隔离结构及栅极结构，且该第一元件区及该第二元件区是以该些隔离结构为界；

于该第一元件区上形成帽盖层；

移除该第二元件区的该栅极结构两侧与该些隔离结构之间的部分该基底，以形成凹陷；

于该凹陷中沉积源极与漏极层，其中该源极与漏极层的顶表面高于该些隔离结构的顶表面；

移除该帽盖层及该第二元件区的部分该些隔离结构，同时降低该些隔离结构的顶表面高度；

于该源极与漏极层两侧与该些隔离结构上形成间隙壁；

于该第一元件区的该栅极结构两侧与该些隔离结构之间的该基底中形成源极与漏极区；以及

于该源极与漏极层上形成金属硅化物层。