[发明专利]提高编程速度的非易失性存储器及相关编程方法有效
| 申请号： | 200610107602.2 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1905068A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 李哲昊;李真烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件，包括存储单元阵列，该存储单元阵列具有以行和列方式排列的多个非易失性存储单元。通过对选定存储单元施加编程电压来对其编程。接下来，读取存储在选定单元中的数据位。然后，执行第一列扫描操作，以确定所选存储单元中的任一个是否未被充分编程。当确定所选存储单元中的至少一个未被充分编程时，执行第二列扫描操作以检测未被充分编程的选定存储单元的总数。当确定未被充分编程的选定存储单元的总数小于可由纠错电路纠正的数目时，编程操作用编程通过状态终止。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 编程 速度 非易失性存储器 相关 方法 | ||
【主权项】：
1、一种执行非易失性存储器件的编程操作的方法，该方法包括：(a)对非易失性存储器件中的选定存储单元进行编程；(b)从所选存储单元中读取数据位；(c)通过顺序地选择预定子单位的数据位、并基于所选子单位确定是否有任何所选存储单元未被充分编程，来执行第一列扫描操作；(d)当在第一列扫描操作中确定所选存储单元中的至少一个未被充分编程、并且是在对所有预定子单位的数据位进行选择之前时，执行第二列扫描操作，以检测未被充分编程的选定存储单元的总数；以及(e)当确定未被充分编程的选定存储单元的总数小于可由纠错电路纠正的数目时，便用编程通过状态终止该编程操作。
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