[发明专利]半导体晶片及制造半导体晶片的工艺有效
| 申请号： | 200610105981.1 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1901172A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 鲁道夫·鲁普;维尔纳·艾格纳;弗里德里希·帕塞克 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/302;H01L21/304;H01L21/66;H01L21/00;C30B29/00;C30B29/06;C30B33/00;B24B9/06;B24B49/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有边缘区域但是没有大于或者等于0.3μm的缺陷的半导体晶片。此外，本发明涉及制造半导体晶片的工艺，其包括下列工序：(a)提供具有倒圆和蚀刻边缘的半导体晶片；(b)抛光半导体晶片的边缘，在该步骤中，使半导体晶片和至少一个抛光鼓在连续提供抛光研磨剂的情况下相对彼此移动并在特定接触压力下相互挤压，其中，该半导体晶片被固定在绕中心旋转的夹盘上并且凸出夹盘之外，而抛光鼓相对于夹盘倾斜特定角度，且绕中心旋转并且覆盖有抛光布；(c)清洗半导体晶片；(d)使用检查单元检查半导体晶片的边缘区域；(e)进一步对该半导体晶片进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种半导体晶片，包括边缘区域，该边缘区域中没有大于或者等于0.3μm的任何缺陷。
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