[发明专利]用于超高真空系统的磁控溅射阴极靶无效
申请号: | 200610096651.0 | 申请日: | 2006-10-14 |
公开(公告)号: | CN101161855A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | 李新化;邱凯;尹志军;钟飞;陈家荣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230031*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于超高真空系统的磁控溅射阴极靶。它的上、下法兰(15,16)内置有相通的冷却水槽(13,9),进、出水管(1,2)隔断冷却水槽(9)且与其相焊接,上法兰(15)上端部与靶材安装罩(12)旋接、腔体中置有磁铁托(10)和磁铁(11)、下端面与下法兰(16)间置有位于内、外层刀口(7,8)处的金属密封圈(17,18),并经螺钉(14)固定,小法兰(21)焊接于出水管(2)外,其与屏蔽罩(19)和基座法兰(22)间置有绝缘片(4,6)、且与贯通有抽气管(3)的基座法兰(22)间置有两只○型胶圈(23,24),并经其外套装绝缘套筒(5)的螺钉(20)固定。它的真空度高达6×10-8Pa,可实现高质量高纯度金属或非金属薄膜的制备。 | ||
搜索关键词: | 用于 超高 真空 系统 磁控溅射 阴极 | ||
【主权项】:
1.一种用于超高真空系统的磁控溅射阴极靶,包括屏蔽罩(19)内的磁铁托(10)、磁铁(11)和水冷部件,其特征在于:(a)所说水冷部件包含相连通的上法兰(15)内置有的覆盖缠绕式冷却水槽(13)、下法兰(16)内置有的冷却水槽(9)、进水管(1)和出水管(2),其中,所说进水管(1)套装于所说出水管(2)中,且隔断所说冷却水槽(9)并与其焊接连通连接,所说出水管(2)与所说冷却水槽(9)的余部焊接连通连接;(b)所说上法兰(15)的上端部与靶材安装罩(12)经其相互间的螺纹旋接、腔体中置有磁铁托(10)和位于其上的磁铁(11)、下端面与所说下法兰(16)间置有两只金属密封圈(17,18),并经螺钉(14)相固定连接,所说两只金属密封圈(17,18)位于所说上法兰(15)和所说下法兰(16)上分别对称置有的内层刀口(7)和外层刀口(8)处;(c)所说出水管(2)外焊接连接有小法兰(21),所说小法兰(21)与所说屏蔽罩(19)和基座法兰(22)间均置有绝缘片(4,6)、且与所说基座法兰(22)间还置有两只O型胶圈(23,24),并经螺钉(20)将其与所说屏蔽罩(19)和所说基座法兰(22)相固定连接,所说螺钉(20)外套装有绝缘套筒(5),所说两只O型胶圈(23,24)间的基座法兰(22)上贯通有抽气管(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院,未经中国科学院合肥物质科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610096651.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于控制挖掘装置的方法和系统
- 下一篇:发光二极管泛光灯结构
- 同类专利
- 专利分类