[发明专利]氮化镓半导体器件无效
| 申请号： | 200610088655.4 | 申请日： | 2006-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1870301A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚;布赖恩·S.·谢尔顿;马莱克·K.·帕比兹;马克·戈特弗里德;刘琳蔺;米兰·波弗里斯迪克;迈克尔·墨菲;理查德·A.·斯托尔 | 申请（专利权）人： | 威力士半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种基于氮化镓的半导体肖特基二极管，由以下层制造而成：设置在蓝宝石衬底上厚度为1－6微米之间的n+掺杂氮化镓层；设置在所述n+氮化镓层之上的厚度大于1微米的n－掺杂氮化镓层，经过构图成为多个细长的指状物；设置在n－掺杂氮化镓层上并与之形成肖特基结的金属层。选择优化各层的厚度以及细长指状物的长度和宽度以实现击穿电压大于500伏、电流容量超过1安培的以及正向电压低于3伏的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化镓的半导体二极管，包括：衬底；设置在所述衬底上的n+掺杂氮化镓层，厚度为1-6微米；设置在所述n+氮化镓层上的n-掺杂氮化镓层，厚度大于1微米；设置在所述n-掺杂氮化镓层上并与之形成肖特基结的金属层。
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