[发明专利]氮化镓半导体器件无效
| 申请号： | 200610088655.4 | 申请日： | 2006-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1870301A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚;布赖恩·S.·谢尔顿;马莱克·K.·帕比兹;马克·戈特弗里德;刘琳蔺;米兰·波弗里斯迪克;迈克尔·墨菲;理查德·A.·斯托尔 | 申请（专利权）人： | 威力士半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 | ||
【说明书】：
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